五月 14, 2008
专为高功率用途与 Doherty 应用而优化
恩智浦半导体 (NXP Semiconductor，由飞利浦成立的独立半导体公司) 今天推出 BLC7G22L (S)-130 基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 技术的首款产品，专为高功耗和 Doherty 放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代 LDMOS 技术可以实现目前功效最高的 LDMOS 解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了 20%，功率效率增长了两个百分点，而Rth热阻则降低 25% 以上。恩智浦第七代 LDMOS 基站前期晶体管的最初原型将于 2008 年美国乔治亚州亚特兰大举办的 IEEE MTT-S 国际微波研讨会期间进行展示。
恩智浦 RF 功率产品线市场部门经理 Mark Murphy 表示：“随着移动电信运营商开始提供基于 HSDPA 和 LTE 等技术的超高速服务，无线网络基础设施的功率需求也已达到空前的水平。恩智浦如今利用第七代 LDMOS 技术，推出业界性能最高的 LDMOS 基站晶体管，其功率增加效率远高于目前市场上的任何产品。”
第七代 LDMOS 的性能创下新的纪录，达到 3.8GHz，且输出电容减少 25%，可实现宽频输出匹配，从而设计出更加简单、性能更好的 Doherty 放大器。Doherty 已经成为新型基站发射器的首选放大器架构，帮助无线网络运营商提高效率并降低成本。
ABI Research 射频 (RF) 元件与系统研究总监 Lance Wilson 表示：“随着数据驱动型服务逐渐成为无线基础设施的更重要的组成部分，一流的 RF 功率放大器性能就成为必需。恩智浦的第七代 LDMOS 技术，凭借其在功率密度和热性能方面取得的重大进步，理当成为公司进入相关应用顶级设备市场时的重要资产。”
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