六月 03, 2014
中国上海，2014年6月3日讯– 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）近日宣布推出其适用于无线/蜂窝基站的第九代(Gen9) LDMOS射频功率晶体管。这类突破性的器件代表LDMOS晶体管性能的进一步提高，在Doherty应用中的效率提升已达5%以上。首款Gen9晶体管专为对称和非对称Doherty功率放大器而设计，采用现有的大量使用封装提供更高功率密度。Gen9技术还针对3.4-3.8 GHz下的应用进行优化，预期这些频段将于明年在全球范围内推出，供移动电信供应商使用。恩智浦在IMS 2014（展位号：1733）上展出其首款Gen9产品。
随着4G移动数据服务在全球的推广，Gen9产品系列主要针对的是紧凑、高效和高性能的LTE基站。基于前几代LDMOS产品业已建立的良好声誉，Gen9以业界领先的成本点为射频功率放大器提供前所未有的效率和出色的线性化能力。
恩智浦的LDMOS射频功率晶体管系列设计历来考虑多个电信市场的需求，符合蜂窝标准和频段多样化所带来的挑战。为延续更高频应用的这一趋势, Gen9优化高频应用, 使其能应用在比运营商当前使用的频率更高的频率，使设计人员能在2015年公布这些频率时随时开始构建器件。
恩智浦半导体基站功率放大器营销总监Christophe Cugge表示，“我们的Gen9 LDMOS晶体管系列再次树立了全新的性能、功率和效率标准。凭借其在射频功率领域的深厚底蕴，Gen9凭借真正适应未来需求的产品使我们的客户具备竞争优势。无线基础设施制造商不断面临将高性价比的节能基站快速推向市场的压力。除满足1800、2100和2700 MHz常见频段的需求外，我们还针对3.4-3.8 GHz优化Gen9，从而使制造商具备领先优势，使其在这些频率得到广泛使用前能做好设计设备的准备。”
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