本文对双向可控硅中的过零检测进行了翔实的介绍，经过图文结合的方法对过零检测的电路及两点电压输出波形别离进行了解说。关于双向可控硅感兴趣或对过零检测有疑问的朋友无妨花上几分钟来阅读本文，信任必定会有意想不到的收获。 在进行沟通无触点规划时，人们偏心运用双向可控硅。这主要是由双向可控硅的特色决定的，双向可控硅不只控制电路简略，也没有反向耐压额顾忌，因而才干如此适合于沟通无触点规划。沟通无触点规划在大型强电流的产品中应用较多，因而双向可控硅需要在强电网络中运转，这就使得其对搅扰的抵抗性变得尤为重要，为了最低程度的减小搅扰，常用过零触发电路来进行双向可控硅电路的触发。 在本文傍边，小编将为大家介绍双向可控硅中的过零检测电路。

图1过零检测电路 电路规划如图1所示，为了提高功率，使触发脉冲与沟通电压同步，要求每隔半个沟通电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us。图1中BT为变压器，TPL521-2为光电耦合器，起隔离效果。当正弦沟通电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，发生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的外部中止0的输入引脚，以引起中止。在中止效劳子程序中运用定时器累计移相时刻，然后宣布双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。

图2 A、B两点电压输出波形

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