1、过压击穿：
过压击穿是可控硅击穿的主要因素之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时刻的，即便在几毫秒的短时刻内过压也会被击穿的，因而实践应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所致使的刹那间过压。如果常常发作可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是不是有烧坏或失效的。
2、过流与过热击穿：
其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿即是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部发作热效应，使芯片温度增加，当芯片温度到达175℃时芯片就会失效且不能康复。在正常的运用条件下，只需作业电流不超越可控硅额定电流是不会发作这种热击穿的，由于过流击穿原理是由于温度增加所致使的，而温度增加的进程是需求一定时刻的，所以在短时刻内过流（几百毫秒到几秒时刻）一般是不会击穿的。
3、过热击穿：
这里所说的过热击穿是指在作业电流并不超越可控硅额定电流的情况下而发作的热击穿，发作这种击穿的因素主要是可控硅的辅佐散热装置作业不良而致使可控硅芯片温度过高致使击穿。
